Fornace per sinterizzazione sottovuoto a riscaldamento resistivo in grafite per trattamento termico di carburo di silicio semi-isolante a sinterizzazione senza pressione 2000C

Descrizione:                                                                                                                         

• Dotata per la lavorazione industriale non-stop di materiali a base di ossidi di terre rare, questa fornace a resistenza di tipo sottovuoto 1 a 1 raggiunge i 2200°C tramite riscaldamento resistivo ad alta efficienza e una camera sottovuoto sigillata (vuoto finale 20Pa). Alimentata da elettricità trifase a 380V con controllo a tiristori, garantisce un'uscita di temperatura stabile anche durante lunghi cicli di produzione.
• La sua struttura industriale heavy-duty resiste all'usura dovuta al funzionamento continuo, mentre il sistema di controllo intelligente della temperatura calibra con precisione le velocità di riscaldamento e i tempi di mantenimento per garantire una lavorazione uniforme di grandi lotti con una lunga durata di servizio. Questo design minimizza la varianza del prodotto e aumenta la resa complessiva per materiali ad alta domanda.
• Si abbina a funzioni di sicurezza automatizzate (rilevamento perdite vuoto, spegnimento per sovratemperatura, protezione da interruzione di corrente) e a un pannello operativo semplificato, riducendo il lavoro manuale e i rischi operativi, rendendola ideale per la produzione di massa di film PI, materiali resistenti alle radiazioni, ossidi di terre rare, materiali ceramici.
• Fornace per sinterizzazione sottovuoto a riscaldamento resistivo in grafite per trattamento termico di carburo di silicio semi-isolante a sinterizzazione senza pressione 2000C

Applicazione:                                                                                                                        

• Produzione di metalli duri: Trattamento termico su larga scala di parti in carburo di tungsteno e leghe di renio per utensili da taglio e macchinari.
• Produzione di componenti in SiC: Sinterizzazione di massa di carburo di silicio per applicazioni in semiconduttori e attrezzature industriali.
• Lavorazione di materiali a base di carbonio: Debinding ad alta produttività di film PI e materiali resistenti alle radiazioni per catene di approvvigionamento industriali.

Specifiche:                                                                                                             

Componenti standard e opzionali chiave:

• : Dotato di Sistema di Controllo della Temperatura ad Alta Precisione FP93 Shimaden giapponese, garantendo processi di sinterizzazione stabili e una qualità costante del prodotto.Versatilità
• : Compatibile con un ampia gamma di materiali (carbonio, ceramiche, leghe, c/c, polveri speciali), soddisfacendo diverse esigenze produttive.Sicurezza & Affidabilità
• : Dotato di meccanismi di protezione da cortocircuito, sovrapressione, sovraccarico, sovracorrente, carenza d'acqua e altri per un funzionamento sicuro.Servizio Post-Vendita:                                                                                               
• Forniamo un supporto post-vendita completo per garantire il funzionamento fluido delle vostre apparecchiature:Garanzia
• : Garanzia di 1 anno sui componenti elettrici principali contro difetti di fabbricazione.Servizio a Vita

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