IGBT制御真空CVDオーブン化学蒸気堆積機械のカスタマイズ

CVDオーブン
2026-01-23
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2500℃ 高温真空CVD炉 SiC処理用誘導加熱 説明: この垂直型堆積炉は、特殊セラミックおよび炭素材料の高温(≤2500℃)処理用に設計されています。 中周波誘導加熱を採用し、IGBT電力制御タイプと組み合わせることで、大幅な省エネを実現しています。。 輸入された高精度赤外線温度計と温度コントローラーを搭載し、正確な温度制御を保証します。統合された排気収集システムは、1ステップで「焼結+脱バ... もっと見る
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