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Frittage de céramique de carbure de silicium recristallisée
2025-11-28
Expérience de frittage par recristallisation SIC
En tirant parti de nos 24Laboratoire à température ultra-haute de 00°C(équipé d'un chauffage par induction exclusif et d'un contrôle de température de haute précision), cette expérience permet un frittage par recristallisation de haute qualité du carbure de silicium.
Avec une régulation stricte de l'atmosphère et une stabilité de température de ± 1 °C,Il permet d'obtenir une densification uniforme et une structure cristalline optimisée du SiC, ce qui est essentiel pour les composants haute performance de l'électronique de puissance.Ce travail démontre notre expertise dans l'avancement du traitement des matériaux à très haute température, fournissant des matériaux fiables,résultats de pointe pour stimuler l'innovation en matière d'applications de SiC de nouvelle génération.
