Sinterizzazione ceramica ricristallizzata al carburo di silicio
2025-11-28
Esperimento di sinterizzazione per ricristallizzazione di SiC
Sfruttando il nostro laboratorio a temperatura ultra-alta di 2400℃ (dotato di riscaldamento a induzione proprietario e controllo della temperatura ad alta precisione), questo esperimento consente la sinterizzazione per ricristallizzazione di alta qualità del carburo di silicio.
Con una rigorosa regolazione dell'atmosfera e una stabilità della temperatura di ±1℃, si ottiene una densificazione uniforme e una struttura cristallina ottimizzata del SiC — fondamentale per componenti ad alte prestazioni nell'elettronica di potenza, nell'aerospaziale e nella ceramica industriale. Questo lavoro dimostra la nostra competenza nell'avanzamento della lavorazione dei materiali ad altissima temperatura, offrendo risultati affidabili e leader del settore per guidare l'innovazione delle applicazioni SiC di nuova generazione.
