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Siliziumkarbid rekristallisierte Keramik Sintern
2025-11-28
SIC-Rekrystallisierung Sinterung Experiment
Wir nutzen unsere 2400°C-Ultrahochtemperaturlabor(ausgestattet mit eigener Induktionsheizung und hochpräziser Temperaturregelung) ermöglicht dieses Experiment eine hochwertige Rekrystallisierungssinterung von Siliziumcarbid.
mit einer strengen Atmosphärenregulierung und einer Temperaturstabilität von ± 1 °CEs erzielt eine gleichmäßige Verdichtung und eine optimierte kristalline Struktur von SiC, die für leistungsstarke Komponenten in der Leistungselektronik von entscheidender Bedeutung istDiese Arbeit zeigt unsere Expertise in der Weiterentwicklung der hochtemperaturen Materialverarbeitung, die zuverlässige,branchenführende Ergebnisse zur Förderung von SiC-Anwendungsinnovationen der nächsten Generation.
