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Sinterización de cerámica recristalizada con carburo de silicio
2025-11-28
Experimento de sinterización por recristalización de SiC
Aprovechando nuestro laboratorio de ultra alta temperatura de 2400℃ (equipado con calentamiento por inducción patentado y control de temperatura de alta precisión), este experimento permite la sinterización por recristalización de alta calidad del carburo de silicio.Con una estricta regulación de la atmósfera y una estabilidad de temperatura de ±1℃, se logra una densificación uniforme y una estructura cristalina optimizada de SiC, fundamental para componentes de alto rendimiento en electrónica de potencia, aeroespacial y cerámica industrial. Este trabajo demuestra nuestra experiencia en el avance del procesamiento de materiales a ultra alta temperatura, ofreciendo resultados confiables y líderes en la industria para impulsar la innovación en aplicaciones de SiC de próxima generación.
