تجربة تجميد مسحوق كربيد السيليكون
2026-02-05
دراسة حالة: تطهير مسحوق السيكروكلوريد باستخدام فرن Nuotian Tech المقاوم للمختبر
قام عميل جامعي محلي بتوظيف فريقنا لتقييم أداء تنقية مسحوق كربيد السيليكون (SiC) بعد معالجة حرارية 800 درجة مئوية، باستخدام فرن المقاومة المختبر 2200 درجة مئوية لدينا.
لمحة عامة عن التجربة
- الهدف:لتحقيق تنقية المواد عن طريق إزالة الشوائب المتبقية من مسحوق SiC الخام من خلال
التخمير المتحكم به - المعدات:فرن Nuotian المقاومة المختبرية 2200 درجة مئوية (يتم تكوينه مع التحكم الدقيق في درجة الحرارة وتثبيت الغلاف الجوي).
- العملية:تم تحميل مسحوق SiC الخام في مهبل الجرافيت، وتخزينه عند 800 درجة مئوية، ثم تم وزنه قبل وبعد المعالجة لتحديد خسائر الكتلة من إزالة الشوائب.
منظر ما بعد التجفيف داخل فرن المقاومة المختبرية لدينا 2200 درجة مئوية ، بعد الانتهاء من دورة تنقية مسحوق SiC 800 درجة مئوية
وزن دقيق لمسحوق SiC قبل وبعد التخمير ، لتحديد خسارة الكتلة من إزالة الشوائب.
