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Experiment zur Sinterung von Siliziumkarbidpulver
2026-02-05
Fallstudie: SiC-Pulverreinigung mit dem Labor-Widerstands-Ofen von Nuotian Tech
Ein inländischer Universitätskunde beauftragte unser Team, die Reinigungsleistung von Siliziumcarbid (SiC) -Pulver nach einer Wärmebehandlung bei 800°C mit unserem 2200°C Lab Resistance Furnace zu bewerten.
Überblick über das Experiment
- Ziel:Um eine Materialreinigung durch Entfernen von Restverunreinigungen aus rohem SiC-Pulver durch
kontrolliertes Sintern. - Ausrüstung:Nuotian 2200°C Lab Resistance Ofen (konfiguriert mit präziser Temperaturkontrolle und Atmosphärenstabilisierung).
- Prozess:Das Roh-SiC-Pulver wurde in einen Graphit-Kiegel geladen, bei 800°C gesintert und dann vor und nach der Behandlung gewogen, um den Massenverlust durch die Abfertigung von Verunreinigungen zu quantifizieren.
Blick nach dem Sintern in unserem 2200°C Lab Resistance Furnace, nach Abschluss des 800°C SiC-Pulverreinigungszyklus
Präzisionsgewichtung von SiC-Pulver vor und nach dem Sintern zur Quantifizierung des Massenverlustes bei der Abfertigung von Verunreinigungen.
