Sự kiện
Liên hệ với chúng tôi
Liên hệ ngay
Thí nghiệm ngâm bột silicon carbide
2026-02-05
Nghiên cứu trường hợp: Làm sạch bột SiC bằng lò chống lab của Nuotian Tech
Một khách hàng đại học trong nước đã thuê nhóm của chúng tôi để đánh giá hiệu suất tinh khiết của bột silicon carbide (SiC) sau khi điều trị nhiệt 800 ° C, sử dụng lò chống lab 2200 ° C của chúng tôi.
Tổng quan về thí nghiệm
- Mục tiêu:Để đạt được tinh khiết vật liệu bằng cách loại bỏ các tạp chất còn lại từ bột SiC thô thông qua
kiểm soát sintering. - Thiết bị:Nuotian 2200 °C Phòng thí nghiệm chống lò (được cấu hình với kiểm soát nhiệt độ chính xác và ổn định khí quyển).
- Quá trình:Bột SiC thô đã được nạp vào một lò nghiền graphite, nghiền ở nhiệt độ 800 °C, và sau đó cân trước và sau khi xử lý để định lượng lượng mất khối lượng từ việc loại bỏ tạp chất.
Quan điểm sau sintering bên trong lò phản ứng phòng thí nghiệm 2200 ° C của chúng tôi, sau khi hoàn thành chu kỳ tinh chế bột SiC 800 ° C
Đánh nặng chính xác bột SiC trước và sau khi ngâm, để định lượng lượng lượng mất mát từ việc loại bỏ tạp chất.
