炭化ケイ素粉末焼結実験
2026-02-05
ケーススタディ:ヌーティアン・テックの実験室耐性炉で SiC粉末浄化
国内大学のクライアントが我々のチームを雇い,シリコンカービッド (SiC) 粉末の浄化性能を評価しました.
実験の概要
- 目的:生 SiC粉末から残留不純物を除去して材料の浄化を達成するために
制御されたシントリング - 装備:Nuotian 2200°C 実験室耐熱炉 (正確な温度制御と大気安定化で構成).
- プロセス:生 SiC粉末は,グラフィット・ティグビルに詰め込み,800°Cでシンターし,処理前と後に重量化し,不純物除去による質量損失を定量化した.
800°CのSiC粉末浄化サイクルを完了した後,2200°Cの実験室耐性炉の内部でのシンタリング後の眺め
濃縮前と後のSiC粉末の精密重量化により,不純物除去による質量損失を定量化する.
